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三极管及MOS管场效应管(MOS管)IPD35N10S3L26ATMA1
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晶体管 Infineon IPD35N10S3L26ATMA1

制造商型号:IPD35N10S3L26ATMA1
制造商:Infineon
封装/规格:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 供应商编号:IPD35N10S3L26ATMA1
商品编号:DS0080972
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

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产品分类

场效应管(MOS管)

三极管及MOS管

FET配置(电路类型)

N沟道

漏极电流(Id, 连续)

35A(Tc)

阈值电压Vgs(th)

2.4V@39µA

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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PCN 组件/产地IPD35N10S3L26ATMA1PCN 组件/产地
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IPD35N10S3L26ATMA1Infineon设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 mouser、future、digikey、arrow、element14、verical、 等渠道进行代购。IPD35N10S3L26ATMA1价格参考¥3.73460。InfineonIPD35N10S3L26ATMA1封装/规格:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3。你可以下载IPD35N10S3L26ATMA1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有场效应管(MOS管)新开棋牌详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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